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现行架构的DRAM的性能将无法满足处理器的需要

作者:admin    发布时间:2021-05-08     浏览次数 :


  微(wei)(wei)软之所以加(jia)入(ru)HMCC,是(shi)(shi)因为正(zheng)在(zai)考虑如(ru)(ru)(ru)何对应很可能(neng)(neng)会成为个人电脑和计算机性能(neng)(neng)提升(sheng)的(de)“内(nei)存(cun)瓶(ping)(ping)颈”问题。内(nei)存(cun)瓶(ping)(ping)颈是(shi)(shi)指随着微(wei)(wei)处理(li)器(qi)的(de)性能(neng)(neng)通过(guo)多核化不断提升(sheng),现行架(jia)构的(de)DRAM的(de)性能(neng)(neng)将(jiang)无(wu)法满足处理(li)器(qi)的(de)需要。如(ru)(ru)(ru)果不解决这个问题,就会发(fa)生即使购买计算机新产品(pin),实际(ji)性能(neng)(neng)也(ye)得不到相(xiang)应提升(sheng)的(de)情况。与之相(xiang)比,如(ru)(ru)(ru)果把基于TSV的(de)HMC应用(yong)于计算机的(de)主存(cun)储(chu)器(qi),数(shu)据(ju)传输速(su)度就能(neng)(neng)够提高(gao)到现行DRAM的(de)约15倍,因此,不只是(shi)(shi)微(wei)(wei)软,微(wei)(wei)处理(li)器(qi)巨头美国英特尔等公司也(ye)在(zai)积极研究采用(yong)HMC。

  其实,计(ji)划(hua)(hua)(hua)采用TSV的(de)并不(bu)只(zhi)是HMC等(deng)DRAM产(chan)(chan)品。按照(zhao)半导体厂(chang)商的(de)计(ji)划(hua)(hua)(hua),在今(jin)后数(shu)年间,从承(cheng)担(dan)电子设备(bei)(bei)输入功能的(de)CMOS传感器到负责运(yun)算(suan)的(de)FPGA和多核处理器,以及掌管产(chan)(chan)品存储(chu)的(de)DRAM和NAND闪(shan)存都将相(xiang)继导入TSV。如果计(ji)划(hua)(hua)(hua)如期进(jin)行(xing),TSV将担(dan)负起输入、运(yun)算(suan)、存储(chu)等(deng)电子设备(bei)(bei)的(de)主(zhu)要功能。

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